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TC58FVM6B2ATG-65

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TC58FVM6B2A

TOSHIBAMOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONGATECMOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

  • 型号:

    TC58FVM6B2ATG

  • 功能描述:

    IC FLASH 64MBIT 65NS 48TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    576

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    闪存

  • 存储器类型:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    512M(64M x 8)

  • 速度:

    -

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)

  • 供应商设备封装:

    48-TSOP

  • 包装:

    托盘

  • 其它名称:

    497-5040

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
-
23+
NA
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TOSHIBA/东芝
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TSSOP
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TSSOP
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23+
NA
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TOS
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BGA
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TOS
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更多TC58FVM6B2ATG供应商 更新时间2025-7-19 11:10:00