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TC58BYG2S0HBAI4	文件：1.72239 Mbytes Page：53 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	KIOXIAKIOXIA Corporation 铠侠铠侠株式会社	KIOXIA
TC58BYG2S0HBAI4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA	Kioxia America, Inc. Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58BYG2S0HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京芯时代电子科技发展有限公司	TC58BYG2S0HBAI4	Toshiba	21+	FBGA	1	价格以询价为主,东芝代理官网可查	询价
深圳市芯纬度科技有限公司	TC58BYG2S0HBAI4		16+	DNA	15	公司现货,有挂就有货。	询价
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更多TC58BYG2S0HBAI4供应商更新时间2025-5-17 8:00:00

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