TC58BYG1S3HBAI4

BENAND (Built-in ECC SLCNAND);

Capacity (bit)：2G\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(2048+64)×8\nBlock size (bit)：(128K+4K)×8\nI/O (bit)：8\nKeyword：2Gbit BENAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\n

TC58BYG1S3HBAI6

BENAND (Built-in ECC SLCNAND);

Capacity (bit)：2G\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(2048+64)×8\nBlock size (bit)：(128K+4K)×8\nI/O (bit)：8\nKeyword：2Gbit BENAND, 1.8V, x8, 24nm, BGA\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\n

TC58BYG1S3HBAI4

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC58BYG1S3HBAI6

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC58BYG1S3HBAI4

Package：63-VFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLASH 2GBIT 63TFBGA

Kioxia America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

Package：67-VFBGA；包装：散装 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

Kioxia America, Inc.