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TC58BVG1S3HTAI0	文件：1.60133 Mbytes Page：53 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	KIOXIAKIOXIA Corporation 铠侠铠侠株式会社	KIOXIA
TC58BVG1S3HTAI0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I	Kioxia America, Inc. Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58BVG1S3HTAI0
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
2Gb（256M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP I
描述：
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TC58BVG1S3HTAI0供应商更新时间2025-7-25 9:02:00

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