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TC58BVG0S3HBAI4中文资料BENAND (Built-in ECC SLCNAND)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
TC58BVG0S3HBAI4 |
| 参数属性 | TC58BVG0S3HBAI4 封装/外壳为63-VFBGA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA |
| 功能描述 | BENAND (Built-in ECC SLCNAND) |
| 封装外壳 | 63-VFBGA |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-21 23:01:00 |
| 人工找货 | TC58BVG0S3HBAI4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TC58BVG0S3HBAI4规格书详情
描述 Description
Capacity (bit)：1G
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(2048+64)×8
Block size (bit)：(128K+4K)×8
I/O (bit)：8
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
技术参数
- 制造商编号
：TC58BVG0S3HBAI4
- 生产厂家
：Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
：25 nsec
- Operational Temperature
：-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
：2.7 to 3.6 V
- Block Erasing Time (Typ.)
：2.5 msec
- Program Time (Typ.)
：0.33 msec
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
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