TC58BVG0S3HBAI4_集成电路（IC）存储器-Kioxia America, Inc.

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1+	¥27.02000

厂家型号：
TC58BVG0S3HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
库存数量：
128
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
63-VFBGA
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-30 13:30:00

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原厂料号：TC58BVG0S3HBAI4品牌：Kioxia America, Inc.

资料说明：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA

TC58BVG0S3HBAI4是集成电路（IC） > 存储器。制造商Kioxia America, Inc.生产封装63-VFBGA的TC58BVG0S3HBAI4存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
tc58bvg0s3hbai4
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA

产品属性

类型
描述
产品编号：
TC58BVG0S3HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA

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TC58BVG0S3HBAI4

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