TC4627EOE集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
TC4627EOE |
参数属性 | TC4627EOE 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC |
功能描述 | Power CMOS Drivers With Voltage Tripler |
封装外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
文件大小 |
462.28 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Microchip Technology |
企业简称 |
MICROCHIP【微芯科技】 |
中文名称 | 微芯科技股份有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-28 10:46:00 |
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TC4627EOE规格书详情
TC4627EOE属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由微芯科技股份有限公司制造生产的TC4627EOE栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
GENERAL DESCRIPTION
The TC4626/4627 are single CMOS high speed drivers with an on-board voltage boost circuit. These parts work with an input supply voltage from 4 to 6 volts. The internal voltage booster will produce a VBOOST potential up to 12 volts above VIN. This VBOOST is not regulated, so its voltage is dependent on the input VDD voltage and output drive loading requirements. An internal undervoltage lockout circuit keeps the output in a low state when VBOOST drops below 7.8 volts. Output is enabled when VBOOST is above 11.3 volts.
FEATURES
■ Power driver with on Board Voltage Booster
■ Low IDD ......................................................... < 4 mA
■ Small Package ........................................ 8-Pin PDIP
■ Under-Voltage Circuitry
■ Fast Rise-Fall Time .................. < 40nsec @ 1000pF
■ Below-Rail Input Protection
APPLICATIONS
■ Raises 5V to drive higher-Vgs (ON) MOSFETs
■ Eliminates one system power supply
产品属性
更多- 产品编号:
TC4627EOE
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
高压侧或低压侧
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4V ~ 6V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.5A,1.5A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
33ns,27ns
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
16-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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