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TC4432CPA集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料

TC4432CPA
厂商型号

TC4432CPA

参数属性

TC4432CPA 封装/外壳为8-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

功能描述

1.5A High-Speed 30V MOSFET Drivers
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

文件大小

433.49 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Microchip Technology Inc.
企业简称

Microchip微芯科技

中文名称

微芯科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 19:01:00

TC4432CPA规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

The TC4431/4432 are 30V CMOS buffer/drivers suitable for use in high-side driver applications. They will not latch up under any conditions within their power and voltage ratings. They can accept, without damage or logic upset, up to 300mA of reverse current (of either polarity) being forced back into their outputs. All terminals are fully protected against up to 4kV of electrostatic discharge.

FEATURES

■ High Peak Output Current ............................... 1.5A

■ Wide Operating Range ............................. 5V to 30V

■ High Capacitive Load

Drive Capability ......................... 1000 pF in 25nsec

■ Short Delay Time ................................ <78nsec Typ

■ Low Supply Current

— With Logic “1” Input ................................. 2.5mA

— With Logic “0” Input ................................. 300µA

■ Low Output Impedance ....................................... 7Ω

■ Latch-Up Protected .......... Will Withstand >300mA

Reverse Current

■ ESD Protected ....................................................4 kV

TC4432CPA属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。微芯科技股份有限公司制造生产的TC4432CPA栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TC4432CPA

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高压侧或低压侧

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 30V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,33ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

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