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TC4427AMJA集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

TC4427AMJA

参数属性

TC4427AMJA 封装/外壳为8-CDIP(0.300",7.62mm);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP

功能描述

1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP

封装外壳

8-CDIP(0.300",7.62mm)

文件大小

501.09 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

Microchip

中文名称

微芯科技

网址

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更新时间

2025-10-4 8:31:00

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TC4427AMJA规格书详情

TC4427AMJA属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由美国微芯科技公司制造生产的TC4427AMJA栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

GENERAL DESCRIPTION

The TC4426A/4427A/4428A are improved versions of the earlier TC426/427/428 family of buffer/drivers (with which they are pin compatible). They will not latch up under any conditions within their power and voltage ratings. They are not subject to damage when up to 5V of noise spiking (of either polarity) occurs on the ground pin. They can accept, without damage or logic upset, up to 500 mA of reverse current (of either polarity) being forced back into their outputs. All terminals are fully protected against up to 4 kV of electrostatic discharge.

FEATURES

■ High Peak Output Current ............................... 1.5A

■ Wide Operating Range .......................... 4.5V to 18V

■ High Capacitive Load

Drive Capability ................. 1000 pF in 25 nsec Typ

■ Short Delay Time ................................. 30 nsec Typ

■ Matched Rise, Fall and Delay Times

■ Low Supply Current

— With Logic “1” Input ............................ 1 mA Typ

— With Logic “0” Input ......................... 100 µA Typ

■ Low Output Impedance ................................ 7ΩTyp

■ Latch-Up Protected: Will Withstand 0.5A

Reverse Current

■ Input Will Withstand Negative Inputs Up to 5V

■ ESD Protected ....................................................4 kV

■ Pinout Same as TC426/TC427/TC428

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TC4427AMJA

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,25ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-CDIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-CERDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP

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