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TBR05L100HT

丝印:F51HT;Package:TO277B;Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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FUTUREWAFER

TBR05L100HTF

Trench MOS Barrier Schottky

FutureWafer

未来芯

TBR05L100A

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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FUTUREWAFER

TBR05L100AF

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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FUTUREWAFER

TBR05L100B

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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FUTUREWAFER

技术参数

  • Continuous Forward Current:

    5 A

  • Diode Forward Voltage:

    0.61 V

  • Reverse Current:

    0.2 mA

  • Peak Surge Current:

    120 A

  • Operating Temperature:

    -55to 150

  • ESD Level:

    8 KV

  • Package:

    TO277-B

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更多TBR05L100HT供应商 更新时间2025-12-24 10:03:00