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TBL062N04-5DL8	文件：300 bytes Page：1 Pages	68A, 40V, 50W, N Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
TBP28L22N	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI DIP20	TI 德州仪器上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	TI
TBPDANN150PGUCV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell DIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell
TBPDANS001PGUCV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell DIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell
TBPDANS015PGUCV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell DIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell

技术参数

AEC Qualified：
YES
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
N
ESD：
N
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
50
V(BR)DSS(V)Min.：
40
VGS(V)Max.：
±20
ID(A)Max.：
68
IGSS(uA)Max.：
±0.1
VGS(th)(V)Max.：
2.5
RDS(on)(mΩ)@10VTyp.：
4.8
RDS(on)(mΩ)@10VMax.：
6.2
RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.：
6.9
RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.：
11
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	TBL062N04D	NK/南科功率	2025+	TO-252-2	986966	国产	询价
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更多TBL062N04-5DL8供应商更新时间2025-10-9 14:01:00

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