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TBL042N04D	文件：300 bytes Page：1 Pages	104A, 40V, 78W, N Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
BSZ042N04NSG	文件：169.62 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：169.62 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
TBP28L22N	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI DIP20	TI 德州仪器上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	TI
TBPDANN150PGUCV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell DIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell
TBPDANS001PGUCV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell DIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell

技术参数

AEC Qualified：
YES
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
N
ESD：
N
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
78
V(BR)DSS(V)Min.：
40
VGS(V)Max.：
±20
ID(A)Max.：
104
IGSS(uA)Max.：
±0.1
VGS(th)(V)Max.：
2.5
RDS(on)(mΩ)@10VMax.：
4.2
RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.：
8
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

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更多TBL042N04D供应商更新时间2025-10-4 14:01:00

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