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BB857	文件：13.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForSAT-indoor-unitsHighcapacitanceratioLowseriesinductance) SiliconTuningDiode •ForSAT-indoor-units •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB857	文件：405.59 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode SiliconTuningDiode •ForSATtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB857	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB857	文件：881.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857	文件：47.94 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857	文件：44.9 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTORS SMALLSIGNALPNPTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFORAPPLICATIONINSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■VERYLOWNOISEAFAMPLIFIER ■NPNCOMPLEMENTSFORBC857ISBC847	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BC857	文件：231.74 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(PNP) FEATURES ◆PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforswitchingandAFamplifierapplications. ◆Especiallysuitedforautomaticinsertioninthick-andthin-filmcircuits. ◆ThesetransistorsaresubdividedintothreegroupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.ThetypeBC856isavail	GE GE Industrial Company	GE
BC857	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC857	文件：247.65 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ForComplementaryWithNPNTypeBC846/847/848.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC857	文件：92.44 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847	AUK AUK corp	AUK

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产品属性

产品编号：
TBC857B,LM
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 100mA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
30nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3

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