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TB3500M中文资料50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTION DEVICE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

TB3500M

参数属性

TB3500M 封装/外壳为DO-214AA,SMB;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-晶闸管;产品描述:THYRISTOR 320V 250A DO214AA

功能描述

50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTION DEVICE
THYRISTOR 320V 250A DO214AA

封装外壳

DO-214AA,SMB

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-13 18:40:00

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TB3500M规格书详情

特性 Features

50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs250A Peak Pulse Current @ 8/20μs58 - 320V Stand-Off VoltagesOxide-Glass Passivated JunctionBi-Directional Protection In a Single DeviceHigh Off-State impedance and Low On-State VoltageHelps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-4-5, FCC Part 68, ITU-T
K.20/K.21, and UL497BUL Listed Under Recognized Component Index, File Number 156346Lead Free Finish/RoHS Compliant

简介

TB3500M属于电路保护的TVS-晶闸管。由Diodes制造生产的TB3500MTVS - 晶闸管基于晶闸管的瞬态电压抑制 (TVS) 器件可用于提供过压保护,在正常工作条件下近似于开路。在这些器件两端施加超过某个特定值的电压(称为击穿电压),可使它们进入近似于短路的导通状态。?这种状态一直持续至流过器件的电流因电路中的一些外部影响而降低到称为“保持电流”的最小值以下。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TB3500M

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Off-State Capacitance CO

    :60 pF

  • Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM

    :320 V

  • Off-State Leakage Current @ VDRM

    :5 µA

  • On-State Voltage @ IT = 1A VT

    :3.5 V

  • Breakover Current IBO Min

    :50 mA

  • Breakover Current IBO Max

    :800 mA

  • Holding Current IH Min

    :150 mA

  • Holding Current IH Max

    :800 mA

  • Packages

    :SMB

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