TB3100M中文资料thyristor数据手册Diodes规格书
TB3100M规格书详情
特性 Features
50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs250A Peak Pulse Current @ 8/20μs58 - 320V Stand-Off VoltagesOxide-Glass Passivated JunctionBi-Directional Protection In a Single DeviceHigh Off-State impedance and Low On-State VoltageHelps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-4-5, FCC Part 68, ITU-T
K.20/K.21, and UL497BUL Listed Under Recognized Component Index, File Number 156346Lead Free Finish/RoHS Compliant
简介
TB3100M属于电路保护的TVS-晶闸管。由制造生产的TB3100MTVS - 晶闸管基于晶闸管的瞬态电压抑制 (TVS) 器件可用于提供过压保护，在正常工作条件下近似于开路。在这些器件两端施加超过某个特定值的电压（称为击穿电压），可使它们进入近似于短路的导通状态。?这种状态一直持续至流过器件的电流因电路中的一些外部影响而降低到称为“保持电流”的最小值以下。
技术参数
更多- 制造商编号
：TB3100M
- 生产厂家
：Diodes
- Off-State Capacitance CO
：60 pF
- Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
：275 V
- Off-State Leakage Current @ VDRM
：5 µA
- On-State Voltage @ IT = 1A VT
：3.5 V
- Breakover Current IBO Min
：50 mA
- Breakover Current IBO Max
：800 mA
- Holding Current IH Min
：150 mA
- Holding Current IH Max
：800 mA
- Packages
：SMB
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