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TB1307A	文件：419.83 Kbytes Page：10 Pages	SAW Filter 246MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TBC1307	文件：166.28 Kbytes Page：2 Pages	TOROIDALINDUCTOR	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司	SUPERWORLD
TC1307	文件：553.03 Kbytes Page：28 Pages	Four-ChannelCMOSLDOwithSelectMode,ShutdownandIndependentReset Description TheTC1307combinesfourCMOSLowDropoutLinearRegulatorswithaMicrocontrollerMonitorinaspacesaving16-PinQSOPpackage.Developedspecificallyforbatterypoweredportableapplications,allfouroutputsoftheTC1307typicallyconsumeatotalof220µAsupplycurrent,holdth	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TDA1307	文件：192.22 Kbytes Page：36 Pages	High-performancebitstreamdigitalfilter FEATURES •Multipleformatinputs:I2S,Sony16,18and20-bit •8-sampleinterpolationerrorconcealment •Digitalmute,attenuation−12dB •Digitalaudiooutputfunction(biphase-markencoded)accordingtoIEC958 •Digitalsilencedetection(output) •Digitalde-emphasis(sele	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TGA1307	文件：736.07 Kbytes Page：7 Pages	KaBandLowNoiseAmplifier KeyFeaturesandPerformance •0.25umpHEMTTechnology •23-29GHzFrequencyRange •3.1dBNominalNoiseFigure28GHz •17dBNominalGain •OTOI>22dBm •5V,50mASelf-Bias PrimaryApplications •Point-to-PointRadio •Point-to-MultipointCommunications	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGA1307-EPU	文件：745.24 Kbytes Page：7 Pages	KaBandLowNoiseAmplifier KeyFeaturesandPerformance •0.25umpHEMTTechnology •23-29GHzFrequencyRange •3.1dBNominalNoiseFigure28GHz •17dBNominalGain •OTOI>22dBm •5V,50mASelf-Bias PrimaryApplications •Point-to-PointRadio •Point-to-MultipointCommunications	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TZ1307A	文件：71.2 Kbytes Page：5 Pages	HC49USDIP17.664MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49UScrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VB1307N	文件：651.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1307	文件：602.75 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1307A	文件：606.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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