TB1100H中文资料thyristor数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
TB1100H |
| 参数属性 | TB1100H 封装/外壳为DO-214AA，SMB；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电路保护的TVS-晶闸管；产品描述：THYRISTOR 90V 400A DO214AA |
| 功能描述 | thyristor |
| 封装外壳 | DO-214AA，SMB |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-3 20:00:00 |
| 人工找货 | TB1100H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TB1100H规格书详情
特性 Features
100A Peak Pulse Current @ 10/1000μs400A Peak Pulse Current @ 8/20μs58 - 320V Stand-Off VoltagesOxide-Glass Passivated JunctionBi-Directional Protection In a Single DeviceHigh Off-State impedance and Low On-State VoltageHelps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-4-5, FCC Part 68,
ITU-T K.20/K.21, and UL497BUL Listed Under Recognized Component Index, File Number 156346Lead Free Finish/RoHS Compliant
简介
TB1100H属于电路保护的TVS-晶闸管。由制造生产的TB1100HTVS - 晶闸管基于晶闸管的瞬态电压抑制 (TVS) 器件可用于提供过压保护，在正常工作条件下近似于开路。在这些器件两端施加超过某个特定值的电压（称为击穿电压），可使它们进入近似于短路的导通状态。?这种状态一直持续至流过器件的电流因电路中的一些外部影响而降低到称为“保持电流”的最小值以下。
技术参数
更多- 制造商编号
：TB1100H
- 生产厂家
：Diodes
- Off-State Capacitance CO
：120 pF
- Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM
：90 V
- Off-State Leakage Current @ VDRM
：5 µA
- On-State Voltage @ IT = 1A VT
：3.5 V
- Breakover Current IBO Min
：50 mA
- Breakover Current IBO Max
：800 mA
- Holding Current IH Min
：150 mA
- Holding Current IH Max
：800 mA
- Packages
：SMB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
5750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
SMB |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SMB |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
SMB/DO-214AA |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
询价 | ||
ON/DIODES/PANJIT |
24+ |
SMB |
43000 |
询价 | |||
Liteon |
19+ |
SMB |
200000 |
询价 | |||
Liteon |
20+ |
SMB |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
LITEON/光宝 |
2019+PB |
SMB |
48790 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SMB |
60000 |
询价 |
