| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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ASITO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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14年
留言
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ASI |
293 |
24+ |
现货供应 |
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6年
留言
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MICROSEMI55KT |
7 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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MICROSEMI55KT |
7 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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8年
留言
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GHZTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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GHZ |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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14年
留言
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GHZ |
315 |
24+ |
现货供应 |
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8年
留言
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MICROSEMI/美高森美TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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TAN300图片
TAN300中文资料Alldatasheet PDF
更多TAN300制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TAN300 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
产品属性
- 产品编号:
TAN300
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
65V
- 频率 - 跃迁:
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益:
6.6dB
- 功率 - 最大值:
1166W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
20A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55KT
- 供应商器件封装:
55KT
- 描述:
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT

















