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UN611E	文件：181.81 Kbytes Page：13 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN611F	文件：181.81 Kbytes Page：13 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN611H	文件：181.81 Kbytes Page：13 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UN611L	文件：181.81 Kbytes Page：13 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanertransistor Fordigitalcircuits ■Features ●Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts. ●MT-1typepackage,allowingsupplywiththeradialtaping.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UPA611TA	文件：52.54 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORHIGHSPEEDSWITCHING DESCRIPTION TheµPA611TAisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybya2.5-Vpowersource. TheµPA611TAhasexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforuseasahigh-speedswitchingdeviceindigitalcircuits. FEATURES •Canbedrivenbya2.5-Vpowersource •Lowgate	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA611TA	文件：234.03 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORHIGHSPEEDSWITCHING FEATURES •Canbedrivenbya2.5-Vpowersource •Lowgatecut-offvoltage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA611TA	文件：518.01 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPS611	文件：264.98 Kbytes Page：11 Pages	HIGHPERFORMANCECURRENTMODEPOWERSWITCH	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VI-611	文件：36.25 Kbytes Page：1 Pages	REMARKS:SAMECOMMONSHOULDBECONNECTEDONP.C.B.N.C=NOCONNECTION	VARITRONIXVaritronix international limited 京东方精电京东方精电有限公司（香港）	VARITRONIX
WJF-611-B	文件：112.35 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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