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CED6031L	文件：121.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,55A,RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6031L	文件：513.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •30V,60A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V. •SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). •Highpowerandcurenthandingcapability. •TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CHM6031LPAPT	文件：204.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT55Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
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