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IXFJ36N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTJ36N20

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXTJ36N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
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SOT-263
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更多TA36N20P供应商 更新时间2024-4-21 14:11:00