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TA1755A	文件：349.5 Kbytes Page：7 Pages	SAW Filter 1955MHz(BW 30MHz) SMD 3.0x3.0 mm	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TEA1755LT	文件：341.86 Kbytes Page：35 Pages	HVstart-upDCM/QRflybackcontrollerwithintegratedDCM/QRPFCcontroller	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TEA1755T	文件：949.76 Kbytes Page：35 Pages	HVstart-upDCM/QRflybackcontrollerwithintegratedDCM/QRPFCcontroller	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TR1755	文件：511.09 Kbytes Page：3 Pages	LEDheatsinkspecificallydesignedtooptimizeheatdissipation	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
TRS1755	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYREFLECTIVECOLORSENSORWITHLIGHTTOVOLTAGECONVERTERS	TAOS TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS	TAOS
UM1755	文件：1.37489 Mbytes Page：123 Pages	Thepurposeofthisdocumentistodescribethedesignoftheapplication	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1755	文件：227.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5V,I	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1755	文件：59.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1755G	文件：227.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5V,I	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1755G	文件：59.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=32mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.5	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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