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UPA1731	文件：72.24 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1731isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1731G	文件：292.03 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=10.3mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–5.0A) RDS(on)2=14.6mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–5.0A) RDS(on)3=16.5mΩTYP.(VGS=–4.0V,ID=–5.0A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP. •Built-inG-Sprotect	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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