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TMR1303S	文件：1.80272 Mbytes Page：13 Pages	MicroAmpereHighFrequencyResponseOmnipolarMagneticSwitchSensor Description TMR130xisanomnipolarmagneticswitchintegrated thetunnelmagnetoresistance(TMR)magnetic sensorandCMOScircuitry,whichisabletodetect thechangeofmagneticfieldandoutputhighandlow voltagesignalsforhighaccuracypositiondetection. UnlikeHall/AMRsensors,TM	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
TMR1303T	文件：1.80272 Mbytes Page：13 Pages	MicroAmpereHighFrequencyResponseOmnipolarMagneticSwitchSensor Description TMR130xisanomnipolarmagneticswitchintegrated thetunnelmagnetoresistance(TMR)magnetic sensorandCMOScircuitry,whichisabletodetect thechangeofmagneticfieldandoutputhighandlow voltagesignalsforhighaccuracypositiondetection. UnlikeHall/AMRsensors,TM	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
TVA1303	文件：73.25 Kbytes Page：5 Pages	AluminumCapacitors85C,Miniature,AxialLead FEATURES •Lowleakagecurrent •Longshelflife •IdealforapplicationinTVsets,autoradios,radio-phonecombinations,electronictestingequipment •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TZ1303A	文件：427.49 Kbytes Page：5 Pages	HC49SMD6MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49SMDcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UES1303	文件：86.67 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UES1303	文件：168.39 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS3.5AMP	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UES1303	文件：81.46 Kbytes Page：1 Pages	HighEfficiency,3.5A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VBA1303	文件：613.02 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1303	文件：598.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1303C	文件：613.44 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TA1303AFN
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
MIXER/OSCILLATOR BUILT-IN FREQUENCY SYNTHSIZER FOR VHF, CATV AND UHF BAND

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更多TA1303AFN供应商更新时间2025-7-25 16:01:00

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