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T860N36TOFVT中文资料可控硅/二极管Discs数据手册Infineon规格书

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厂商型号

T860N36TOFVT

参数属性

T860N36TOFVT 封装/外壳为TO-200AC;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶闸管-SCR-模块;产品描述:SCR MODULE 3600V 2000A DO200AC

功能描述

可控硅/二极管Discs
SCR MODULE 3600V 2000A DO200AC

封装外壳

TO-200AC

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:41:00

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T860N36TOFVT规格书详情

描述 Description

T860N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 75mm,高度 26mm。

特性 Features

• 在较宽的温度范围内具有 50/60 Hz 的完全阻断能力
• 高直流电压阻断稳定性
• 高冲击电流能力
• 高开启 di/dt 功能
• 高 dv/dt 功能

优势:
• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机
• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节
• 由于高过载能力,可实现无熔丝设计

简介

T860N36TOFVT属于分立半导体产品的晶闸管-SCR-模块。由制造生产的T860N36TOFVT晶闸管 - SCR - 模块可控硅整流器 (SCR) 模块系列产品在单个器件封装中包含两个或更多 SCR 器件,或者单个 SCR 包含一个或更多其他器件,例如整流二极管。SCR(也称为晶闸管)通常用于控制交流市电,功能类似于普通的整流二极管,并具有在施加控制脉冲前限制正向电流流动的附加功能。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :T860N36TOFVT

  • 生产厂家

    :Infineon

  • tq[µs]

    :400

  • Tvj[°C] max

    :125

  • Clamping force[kn] min

    :20

  • Clamping force[kn] max

    :45

  • Housing

    :Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration

    :Electrical Triggered Phase Control Thyristor

  • ITAVM/TC[A/°C] @180° el sin

    :860/85

  • VT/IT[V/kA] @Tvj max

    :3.18/3.8

  • RthJC[K/kW] @180° el sin max

    :21

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