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T6633AP	文件：196.43 Kbytes Page：3 Pages	Isolated Transmitter	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
6633	文件：406.85 Kbytes Page：4 Pages	22(7/30)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
6633B	文件：692.07 Kbytes Page：6 Pages	6630BSeriesSingle-Output,80-100WGPIBPowerSupplies	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
AD6633	文件：89.45 Kbytes Page：2 Pages	MultichannelDigitalUpconverterwithVersaCRESTCrestReductionEngine GENERALDESCRIPTION TheAD6633isamultichannel,widebandwidthdigitalupconverter(DUC)withcrestfactorreduction(CFR)technology,whichisavailablein4-channelor6-channelversions.Itprocesses20-bitbasebandinputdataandgenerates18-bit,wideband,real,orcomplexoutputdataatu	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
IRF6633	文件：266.71 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETPowerMOSFET Description TheIRF6633combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeom	IRF International Rectifier	IRF
IRF6633	文件：263.73 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliantContainingNoLeadandBromide Description TheIRF6633combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeom	IRF International Rectifier	IRF
IRF6633APBF	文件：268.81 Kbytes Page：9 Pages	LowConductionLossesandSwitchingLosses	IRF International Rectifier	IRF
IRF6633APBF	文件：268.81 Kbytes Page：9 Pages	RoHSCompliant Description TheIRF6633APbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6633ATRPBF	文件：268.81 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETTMPowerMOSFET Description TheIRF6633APbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
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