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T35L3232B-4T	文件：261.72 Kbytes Page：19 Pages	32K x 32 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Taiwan Memory Technology Synchronous Burst RAM family employs high-speed, low power CMOS design using advanced triple-layer polysilicon, double-layer metal technology. Each memory cell consists of four transistors and two high valued resistors. FEATURES ➤ V FT pin for us 文件：261.72 Kbytes 页数：19 Pages	TMT 凯钰科技	TMT
T35L3232B-4T	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.5 to 4.6V; 1.0W; 32K x 32 SRAM: pipelined and flow- through burst mode	TM 天微	TM
T3900	文件：0 bytes Page：0 Pages	Technology BGA	TECHNOLOGY 上传：深圳市宝隆宏业科技有限公司	TECHNOLOGY
T399A475K006AS	文件：0 bytes Page：0 Pages	KEMET/基美 DIP	KEMET/基美上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	KEMET/基美
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更多T35L3232B-4T供应商更新时间2025-10-4 9:31:00