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T2G6000528-Q3	文件：985.84 Kbytes Page：13 Pages	10W, 28V DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor 文件：985.84 Kbytes 页数：13 Pages	TriQuint	TriQuint
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T2G6000528-Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	DC - 6 GHz, 7 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor Qorvo's T2G6000528-Q3 is a 10 W (P3dB) wideband unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz and a 28V supply rail. The device is in an industry standard air cavity package and is ideally suited to military and civilian radar, land mobile and military radio communications, avio • Frequency: DC to 6 GHz\n• Linear Gain: 17 dB at 3.3 GHz\n• Operating Voltage: 28 V\n• Output Power (P3dB): 10 W at 3.3 GHz\n• Lead-free and RoHS compliant\n• Low thermal resistance package;	Qorvo 威讯联合	Qorvo
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技术参数

频率最大值(MHz)：
6
增益(dB)：
17
Psat(dBm)：
40
漏极效率(%)：
53
Vd(V)：
28
Idq(mA)：
50
封装类型：
NI-200
RoHS：
Yes
Lead Free：
Yes
Halogen Free：
No
ITAR Restricted：
No
ECCN：
EAR99

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更多T2G6000528-Q3供应商更新时间2025-10-8 11:01:00

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