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T1G6001528-Q3中文资料DC – 6 GHz 18 W GaN RF Power Transistor数据手册Qorvo规格书

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厂商型号

T1G6001528-Q3

功能描述

DC – 6 GHz 18 W GaN RF Power Transistor

制造商

Qorvo Qorvo, Inc

中文名称

威讯联合 威讯联合半导体(德州)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-17 18:36:00

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技术参数

  • 型号:

    T1G6001528-Q3

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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