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T1G4020036-FS-EVB1

DC ??3.5 GHz, 50 V, 2 x 200 W GaN RF Transistor

Key Features • Frequency: DC to 3.5 GHz • Output Power (P3dB)1: 200 W • Linear Gain1: 18.1 dB • Typical PAE3dB 1: 67.6 • Operating Voltage: 50 V • CW and Pulse capable Note 1: @ 2.8 GHz Load Pull (Half of device)

文件:1.78834 Mbytes 页数:18 Pages

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