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T1G4020036-FS-EVB1	文件：1.78834 Mbytes Page：18 Pages	DC ??3.5 GHz, 50 V, 2 x 200 W GaN RF Transistor KeyFeatures •Frequency:DCto3.5GHz •OutputPower(P3dB)1:200W •LinearGain1:18.1dB •TypicalPAE3dB 1:67.6 •OperatingVoltage:50V •CWandPulsecapable Note1:@2.8GHzLoadPull(Halfofdevice)	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

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T1G4020036-FS-EVB1

文件：1.78834 Mbytes

Page：18 Pages

DC ??3.5 GHz, 50 V, 2 x 200 W GaN RF Transistor

KeyFeatures •Frequency:DCto3.5GHz •OutputPower(P3dB)1:200W •LinearGain1:18.1dB •TypicalPAE3dB 1:67.6 •OperatingVoltage:50V •CWandPulsecapable Note1:@2.8GHzLoadPull(Halfofdevice)

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

QORVO

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更多T1G4020036-FS-EVB1供应商更新时间2025-7-23 16:31:00

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