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T1G4020036-FL中文资料DC - 3.5 GHz, 2x120 Watt, 36 - 50 V GaN RF Power Transistor数据手册Qorvo规格书

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厂商型号

T1G4020036-FL

功能描述

DC - 3.5 GHz, 2x120 Watt, 36 - 50 V GaN RF Power Transistor

制造商

Qorvo Qorvo, Inc

中文名称

威讯联合 威讯联合半导体(德州)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-17 18:37:00

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T1G4020036-FL规格书详情

描述 Description

Qorvo's T1G4020036-FL is a 2 x 200 W (P3dB) wideband input pre-matched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 3.5 GHz and a 50V supply rail. The device is in an industry standard air cavity package and is ideally suited to military and civilian radar, land mobile and military radio communications, avionics, and test instrumentation. The device can support pulsed and linear operations.
Lead-free and ROHS compliant
Evaluation boards are available upon request.

特性 Features

• Frequency: DC - 3.5 GHz
• Output power (P3dB)1: 200W
• Linear gain1: 18.1dB
• Typical PAE3dB1: 67.6%
• Operating voltage: 50 V
• CW and Pulse capable

应用 Application

• Civilian Radar
• Jammers
• Military Radar
• Professional and Military Radio
• Test Instrumentation
• Wideband and Narrowband Amplifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :T1G4020036-FL

  • 生产厂家

    :Qorvo

  • 频率最大值(MHz)

    :3

  • 增益(dB)

    :18.1

  • Psat(dBm)

    :2 x 53.0

  • 漏极效率(%)

    :67.6

  • Vd(V)

    :50

  • Idq(mA)

    :520

  • 封装类型

    :NI-650

  • RoHS

    :Yes

  • Lead Free

    :Yes

  • Halogen Free

    :Yes

  • ITAR Restricted

    :No

  • ECCN

    :3A001.B.3.A.3

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