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T1210-600R	文件：140.75 Kbytes Page：12 Pages	12ASnubberless??logiclevelandstandardtriacs Description Availableeitherinthrough-holeorsurface-mounpackages,theBTA12,BTB12andT12xxtriacseriesissuitableforgeneralpurposemainspowerACswitching. Features ■Mediumcurrenttriac ■Lowthermalresistancewithclipbonding ■Lowthermalresistanceinsulationceramicfori	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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UN1210-600H	文件：2.73844 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYERCHIPVARISTORS Feature VaristorVoltagefrom12Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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MULTILAYERCHIPVARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom12Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

UNSEMI

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技术参数

Status：
Active
Package：
ITO-220AB
Quadrant：
3
IT(RMS)(A)：
12
VDRM/VRRM(V)：
600
IGT [I-III](mA)：
10
VTM at 25°C(V)：
1.5
TJ Max.(°C)：
150

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