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T1190N14TOFVT数据手册分立半导体产品的晶闸管-SCR-模块规格书PDF

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厂商型号

T1190N14TOFVT

参数属性

T1190N14TOFVT 封装/外壳为TO-200AC;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶闸管-SCR-模块;产品描述:SCR MODULE 1800V 2800A DO200AC

功能描述

可控硅/二极管Discs
SCR MODULE 1800V 2800A DO200AC

封装外壳

TO-200AC

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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T1190N14TOFVT规格书详情

描述 Description

The T1190N Phase Control Thyristor discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 75mm and a height of 26mm.

特性 Features

• Full blocking capability 50/60 Hz over a wide temperature range
• High DC blocking stability
• High surge current capability
• High turn-on di/dt capability
• High dv/dt capability

优势:
• Minimized maintenance and reduced downtime due to high reliability
• Easy System power scaling by special designs for series- and parallel connection
• Fuseless design possible due to high overload capability

简介

T1190N14TOFVT属于分立半导体产品的晶闸管-SCR-模块。由制造生产的T1190N14TOFVT晶闸管 - SCR - 模块可控硅整流器 (SCR) 模块系列产品在单个器件封装中包含两个或更多 SCR 器件,或者单个 SCR 包含一个或更多其他器件,例如整流二极管。SCR(也称为晶闸管)通常用于控制交流市电,功能类似于普通的整流二极管,并具有在施加控制脉冲前限制正向电流流动的附加功能。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :T1190N14TOFVT

  • 生产厂家

    :Infineon

  • tq[µs]

    :240

  • Tvj[°C] max

    :125

  • Clamping force[kn] min

    :16

  • Clamping force[kn] max

    :32

  • Housing

    :Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration

    :Electrical Triggered Phase Control Thyristor

  • ITAVM/TC[A/°C] @180° el sin

    :1190/85

  • VT/IT[V/kA] @Tvj max

    :2.05/5.4

  • RthJC[K/kW] @180° el sin max

    :23

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