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Z1130	文件：95.55 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
Z1130	文件：397.584 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
Z1130	文件：22.7 Kbytes Page：1 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
Z1130	文件：27.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
Z1130	文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages	ZENERDIODES	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
Z1130	文件：1.10983 Mbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
Z1130A	文件：773.75 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●HighpeakreversepowerdissipationLead ●RoHScompliant ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
Z1130A	文件：107.36 Kbytes Page：5 Pages	1.0WZENERDIODE GlassPassivatedDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–330VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
Z1130A	文件：105.77 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-300Volts PD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to300Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretarda	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
Z1130A	文件：394.369 Kbytes Page：3 Pages	1W130VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

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