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SZESD8006MUTAG	文件：1.1933 Mbytes Page：12 Pages	ESD Protection Diode 文件：1.1933 Mbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SZESD8006MUTAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：10-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 9.5VC 8-UDFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TDA8006	文件：166.5 Kbytes Page：40 Pages	Multiprotocol IC Card coupler 文件：166.5 Kbytes 页数：40 Pages	PHI PHI	PHI
TDA8006AH	文件：166.5 Kbytes Page：40 Pages	Multiprotocol IC Card coupler 文件：166.5 Kbytes 页数：40 Pages	PHI PHI	PHI
TDA8006H	文件：166.5 Kbytes Page：40 Pages	Multiprotocol IC Card coupler 文件：166.5 Kbytes 页数：40 Pages	PHI PHI	PHI

产品属性

产品编号：
SZESD8006MUTAG
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
9.5V（标准）
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
16A
电源线路保护：
无
应用：
汽车，USB
不同频率时电容：
0.32pF @ 1MHz（最大）
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-UFDFN
供应商器件封装：
8-UDFN（3.3x1.0）
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 9.5VC 8-UDFN

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