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SZESD7571MXWT5G

Micro−Packaged Diodes for ESD Protection

Features  Industry Leading Capacitance Linearity Over Voltage  Ultra−Low Capacitance: 0.35 pF Max  Stand−off Voltage: 5.3 V  Low Leakage:

文件:372.42 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SZESD7571MXWT5G

Package:2-XDFN;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5.3VWM 15VC 2X2DFNW

ONSEMI

安森美半导体

SZESD9B5.0ST5G

SOD923

ON/安森美

SZESDR0502BT1G

SC-75

ON/安森美

SZF-01T-P0.7

NA

JST/日压

产品属性

  • 产品编号:

    SZESD7571MXWT5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    15V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    USB

  • 不同频率时电容:

    0.24pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    2-XDFN

  • 供应商器件封装:

    2-X2DFNW(1x0.6)

  • 描述:

    TVS DIODE 5.3VWM 15VC 2X2DFNW

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onsemi(安森美)
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更多SZESD7571MXWT5G供应商 更新时间2025-12-7 23:00:00