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NYC0102BLT1G	文件：102.18 Kbytes Page：5 Pages	SensitiveGateSiliconControlledRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
SYC0102BLT1G
功能描述：
SCR SENSITIVE GATE SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO：
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态：
RMS
正向电压下降：
1.6 V
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
最大栅极峰值反向电压：
5 V
栅触发电流(Igt)：
35 mA 保持电流（Ih
最大值）：
75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220
封装：
Tube

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更多SYC0102BLT1G供应商更新时间2025-5-22 10:42:00

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