SY876数据手册AMICRO中文资料规格书

描述 Description

SY876XX 是一款高度集成的气流感应芯片，内部集成 8051 MCU 内核，16K 字节 MTP（Multi Time Programmable）类型的程序存储器和 512 字节的动态数据存储器（SRAM）。
SY876XX 内部集成 PMOS 放电功率管，同时支持外扩 PMOS，支持负载插拔检测电路、恒流源检阻功能，支持过流和过温保护功能。
SY876XX 充电性能优越，支持单节锂电池充电，具备完善的涓流、恒流、恒压充电控制过程，充电电流 250mA~750mA 11 个档位可配，满充电压 3.55V-4.30V 可配，满充截止电流可配置，支持充电电过温自适应、USB 欠压自适应、USB 欠压保护、USB 过压保护。
SY876XX 集成 LED 恒流源控制模块，最多支持 3个 LED，支持 4mA/8mA/21mA/29mA 驱动电流。
SY876XX 支持低功耗模式，静态电流<15uA，支持多种唤醒源唤醒。
SY876XX 采用 QFN24 和 QFN28 封装形式。

特性 Features

8051 CPU 内核
• 工作频率：16MHz
• 应用程序存储空间 MTP：16K * 8bit
• 片内集成 512 字节 SRAM
• 支持 10 个共享中断源，4 个中断优先级
• 支持 8051 标准指令集
电池功率输出(放电)功能
• 内部 MOS 功率管最大支持 0.7Ω带载
• 支持外扩 PMOS 放电控制
• 支持恒流源 CCO+PGA 方式的负载检测，
• 恒流源：50mA，PGA 增益：X16
咪头检测功能
• 支持开关咪、正/反电容咪、特定协议咪头
• 可兼容 1pF~20pF 的电容咪头和硅咪
• 支持可编程的三级触发阈值配置
线性充电功能
• 支持单节锂电池充电
• 充电电流 250mA~750mA 共 11 个挡位
• 满充电压支持 3.55V-4.30V 可配置
• 支持涓流、恒流、恒压充电过程
低功耗特性
• 休眠模式，静态电流小于 15uA
• 支持多种唤醒源唤醒
• 内部参考电压 2.2V
外设
• 支持 1 路 UART，支持全/半双工，波特率 2400~115200
• 支持单/双线升级、带电升级
• 支持 3 种复位方式：低电复位、软件复位和看门狗复位
• 支持 2 个可编程的 16 位自动重载定时器
• 最多支持 19 路 GPIO，支持多种工作模式
• 支持 4 路 PWM
• 支持 6 路 ADC，内部共享一个 12bit ADC模块
• 支持 3 路 LED，驱动电流可配置，配置档位 4mA/8mA/21mA/29mA 可选
多种异常保护
• 放电过流/短路保护（OCP）
• 放电过温保护（OTP）
• USB 输入欠压保护（UVLO）
• USB 输入过压保护（UOVP）
• 电池输入欠压保护（VCC_UV）
• USB 充电欠压保护
• 充电高温自适应保护
• 充电欠压自适应保护
封装形式
• QFN24 3mmx3mm
• QFN28 4mmx4mm