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T8105A	文件：1.408 Mbytes Page：112 Pages	H.100/H.110InterfaceandTime-SlotInterchangers Introduction Thisadvisorydescribesaflawinsomedevicesthattheinitialfactorytestprogramdidnotdetect.Theflawexistsinsomeversion2andversion3T8100A,T8102,andT8105devicesinboththeSQFPandBGApackagetypes.AnenhancedfactorytestprogramhasbeeninplacesinceJanua	agere Agere Systems	agere
TPC8105-H	文件：475.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(HighSpeedU-MOSII) HighSpeedandHighEfficiencyDC−DCConverters LithiumIonBatteryApplications NotebookPCs PortableEquipmentApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Highspeedswitching ●Smallgatecharge:Qg=32nC(typ.) ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=20mΩ(t	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPCA8105	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8105	文件：988.77 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCC8105	文件：225.01 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsPowerManagementSwitchApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCC8105	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPCF8105	文件：228.6 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8105	文件：270.22 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIV) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=9.6mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=23S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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