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ASRD806-TR	文件：67.17 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD800SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforSynthesiserandSamplerApplicationsRequiringaHighPerformancetoCostRatio. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •SurfaceMountSOD323Package	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ASRD806T-TR	文件：67.17 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD800SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforSynthesiserandSamplerApplicationsRequiringaHighPerformancetoCostRatio. FEATURESINCLUDE: •TransitionTimeasLowas70pS •SurfaceMountSOD323Package	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
ATTINY806	文件：3.8707 Mbytes Page：522 Pages	tinyAVR짰0-series	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
BAQ806	文件：74.63 Kbytes Page：12 Pages	AMPINdiode DESCRIPTION DO-214ACsurfacemountablepackagewithglasspassivatedchip.Thewell-definedvoid-freecaseisofatransfer-mouldedthermo-settingplastic. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Excellentstability •UL94V-O	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC806	文件：247.85 Kbytes Page：12 Pages	80V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Highvoltage •Twocurrentgainselections •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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BC806H	文件：291.41 Kbytes Page：16 Pages	80V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Highvoltage •Twocurrentgainselections •High-temperatureapplicationsupto175°C •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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BF806	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteSemiconductors DiscretsSemiconductors FETsForVHFAmplifiersandMixers ForLowNoiseAmplifiers Lowleakage/NoiseCurrent DualGateMosfets(NChannelDepletion) Lowleakge	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
BR806	文件：403.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
BR806	文件：86.77 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
BR806	文件：144.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BR806	文件：93.84 Kbytes Page：6 Pages	BridgeRectifier	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BR806	文件：17.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts Io:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Idealforprintedcircuitboard *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
BR806	文件：93.4 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
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BR806	文件：95.83 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-200amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SY806供应商更新时间2024-5-31 8:22:00

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