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SY75612TWL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：56-VFQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：1:12 LPHCSL FANOUT BUFFER WITH O	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
SY75612TWL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：56-VFQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：1:12 LPHCSL FANOUT BUFFER WITH O	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TDA75612LV	文件：730.58 Kbytes Page：35 Pages	4x45WpoweramplifierwithfullI2Cdiagnostics,SSRandlowvoltageoperation Features MultipowerBCDtechnology MOSFEToutputpowerstage DMOSpoweroutput Highoutputpowercapability4x25W/4Ω@ 14.4V,1kHz,10THD,4x45Wmaxpower 2Ωdrivingcapability(64Wmaxpower) FullI2Cbusdriving: –Standby –Independentfront/rearsoftplay/mute –	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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SY75612TWL

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包装：卷带（TR）封装/外壳：56-VFQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：1:12 LPHCSL FANOUT BUFFER WITH O

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

SY75612TWL-TR

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包装：卷带（TR）封装/外壳：56-VFQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：1:12 LPHCSL FANOUT BUFFER WITH O

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

TDA75612LV

文件：730.58 Kbytes

Page：35 Pages

4x45WpoweramplifierwithfullI2Cdiagnostics,SSRandlowvoltageoperation

Features MultipowerBCDtechnology MOSFEToutputpowerstage DMOSpoweroutput Highoutputpowercapability4x25W/4Ω@ 14.4V,1kHz,10THD,4x45Wmaxpower 2Ωdrivingcapability(64Wmaxpower) FullI2Cbusdriving: –Standby –Independentfront/rearsoftplay/mute –

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
SY75612TWL
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）
类型：
时钟缓冲器
电路数：
1
比率 - 输入：
2：12
差分 - 输入：
是/是
输入：
CML，HCSL，LVDS，PECL
输出：
HCSL
电压 - 供电：
1.62V ~ 1.98V，2.25V ~ 2.75V，2.97V ~ 3.63V
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
56-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
56-VQFN（8x8）
描述：
1

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更多SY75612TWL供应商更新时间2024-6-23 11:15:00

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