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SXR821M035ST

Low ESR, High Ripple, Radial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors

文件:127.02 Kbytes 页数:6 Pages

CDE

SXR821M050ST

Low ESR, High Ripple, Radial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors

文件:127.02 Kbytes 页数:6 Pages

CDE

SXR821M6R3ST

Low ESR, High Ripple, Radial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors

文件:127.02 Kbytes 页数:6 Pages

CDE

SXR822M016ST

Low ESR, High Ripple, Radial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors

文件:127.02 Kbytes 页数:6 Pages

CDE

SXR822M6R3ST

Low ESR, High Ripple, Radial Leaded Aluminum Electrolytic Capacitors

文件:127.02 Kbytes 页数:6 Pages

CDE

SXR0405

声表面波谐振器

声表面波谐振器(surface- acoustic- wave)。SAW 声表面波元件主要作用原理是利用压电材料的压电特性,利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入讯号转换成机械能,经过处理后,再把机械能转换成电的讯号,以达到过滤不必要的讯号及杂讯,提升收讯品质的目标。被广泛应用在各种无线通讯系统、电视机、录放影机及全球卫星定位系统接收器上。

Shengxn

声芯

Shengxn

SXR0501

声表面波谐振器

声表面波谐振器(surface- acoustic- wave)。SAW 声表面波元件主要作用原理是利用压电材料的压电特性,利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入讯号转换成机械能,经过处理后,再把机械能转换成电的讯号,以达到过滤不必要的讯号及杂讯,提升收讯品质的目标。被广泛应用在各种无线通讯系统、电视机、录放影机及全球卫星定位系统接收器上。

Shengxn

声芯

Shengxn

SXR1230P

Snapdragon platform

Qualcomm first dedicated augmented reality (AR) platform for wearable glasses brings immersive and interactive experiences for everyone by blending virtual content into the physical world.

Qualcomm

高通

SXR101M016ST

Package:径向,Can;包装:散装 类别:电容器 铝电解电容器 描述:CAP ALUM 100UF 20% 16V RADIAL

CDE

SXR101M025ST

Package:径向,Can;包装:散装 类别:电容器 铝电解电容器 描述:CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

CDE

技术参数

  • Insertion LossIL(dB):

    2.2max

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Cornell
22+
NA
75
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CDE
2022+
DIP
88000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
CuDIP40
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
CDE
10X12
21722
询价
CDE
23+
10X12
66800
原装进口电解价格优势
询价
QUALCOMM/高通
24+
BGA
60000
全新原装现货
询价
更多SXR供应商 更新时间2026-1-27 10:09:00