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SWD1N60C	文件：742.77 Kbytes Page：7 Pages	N-channel D-PAK/I-PAK/TO-92 MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD1N60C	文件：1.39516 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SWD1N60C	文件：1.08794 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SWI1N60	文件：737.75 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWI1N60C	文件：742.77 Kbytes Page：7 Pages	N-channelD-PAK/I-PAK/TO-92MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWL1N60	文件：737.75 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TC1N60	文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TC1N60	文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TC1N60P	文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TC1N60P	文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TSD1N60	文件：1.08791 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM1N60	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8Ω GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60CH	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8Ω GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60CP	文件：174.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET VDS=600V ID=1A RDS(on),Vgs@10V,Ids@0.6A=8Ω GeneralDescription TheTSM1N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergy	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60CPRO	文件：1.08797 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM1N60L	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60L	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60LCH	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60LCH	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM1N60LCP	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
SWD1N60C
制造商：
SEMIPOWER
制造商全称：
SEMIPOWER
功能描述：
N-channel D-PAK/I-PAK/TO-92 MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市仟禧电子有限公司	SWD1N60C	SAMWIN	22+	TO-252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市维尔达电子有限公司	SWD1N60C	cet	2023+	TO-252	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	SWD1N60C	SAMWIN	22+	TO-252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SWD1N60DC		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	SWD-2020H-03-SB	Sage Millmeter	23+	模块	400		询价

更多SWD1N60C供应商更新时间2024-9-20 16:35:00

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