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SW1N60D	文件：663.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channel I-PAK/TO-92 MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW1N60DC	文件：926.46 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-252/SOT-223 MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW1N60L	文件：496.42 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWC1N60A	文件：719.27 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWC1N60C	文件：742.77 Kbytes Page：7 Pages	N-channelD-PAK/I-PAK/TO-92MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWC1N60L	文件：496.42 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD1N60	文件：1.135 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SWD1N60	文件：737.75 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD1N60C	文件：1.08794 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SWD1N60C	文件：1.39516 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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