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SW065R68E7T	文件：689.14 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features  High ruggedness  Low RDS(ON) (Typ 6.3mΩ)@VGS=10V  Low Gate Charge (Typ 75nC)  Improved dv/dt Capability  100 Avalanche Tested  Application:Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter General Description This power MOSFET is produced with advanced technol 文件：689.14 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SWD065R68E7T	文件：689.14 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SW065R68E7T；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features  High ruggedness  Low RDS(ON) (Typ 6.3mΩ)@VGS=10V  Low Gate Charge (Typ 75nC)  Improved dv/dt Capability  100 Avalanche Tested  Application:Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter General Description This power MOSFET is produced with advanced technol 文件：689.14 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
SW065R68E7T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Semipower 芯派科技	Semipower
SWD065R68E7T	文件：689.14 Kbytes Page：6 Pages	N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features  High ruggedness  Low RDS(ON) (Typ 6.3mΩ)@VGS=10V  Low Gate Charge (Typ 75nC)  Improved dv/dt Capability  100 Avalanche Tested  Application:Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter General Description This power MOSFET is produced with advanced technol 文件：689.14 Kbytes 页数：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER

技术参数

ID_A：
90
RDS_ON：
0.0063
Qg_nC：
75
PowerPackageId：
TO-252
Type：
SAMWIN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	SW065R68E7T	芯派	24+	TO-252	12500	国产功率器件品牌都有售	询价
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更多SW065R68E7T供应商更新时间2025-10-7 11:02:00

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