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SVT20240NT

丝印:20240NT;Package:TO-220-3L;72A, 200V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION SVT20240NT(P7)(S) is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. Th

文件:278.87 Kbytes 页数:8 Pages

SILAN

士兰微

SVT20240NT

TRENCH系列低压MOSFET

SVT20240NT(P7)  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.。\n\n 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域.。 • 72A,200V,RDS(on)(典型值)=19.7mW@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

20240

B - Indoor keyed

文件:173.32 Kbytes 页数:4 Pages

LEMO

雷莫

LEMO

20240

B - Indoor keyed

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LEMO

雷莫

LEMO

20240

B - Indoor keyed

文件:179.17 Kbytes 页数:4 Pages

LEMO

雷莫

LEMO

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    200

  • Id (A)Tc=25℃:

    72

  • Vgs (th) (V):

    3.0~5.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    19.7

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    24

  • Qg@10Vtyp (nC):

    88

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILAN/士兰微
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TO-220
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专营SILAN士兰微原装保障
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