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SVT042R5NT

丝印:042R5NT;Package:TO-220-3L;240A, 40V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION SVT042R5NL5(T) is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using advanced LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This

文件:274.69 Kbytes 页数:8 Pages

SILAN

士兰微

SVT042R5NT

TRENCH系列低压MOSFET

SVT042R5NL5(T)  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 • 240A,40V,低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    40

  • Id (A)Tc=25℃:

    240

  • Vgs (th) (V):

    2.2~3.8

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    2

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    2.5

  • Qg@10Vtyp (nC):

    108

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