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SVS5N70FD2

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超结MOS功率管

SVS5N70F(D)(MJ)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。\n\n 此外，SVS5N70F(D)(MJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。\n\n • 5A,700V, RDS(on)(typ.)=0.8W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;

Silan

士兰微

SVSP14N60FJDE2

文件：0 bytes

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TO-220F

SILAN/士兰微

技术参数

  • Status：

    MP

  • Type：

    N

  • Process：

    D-Well

  • Configuration：

    Single

  • Popular Application：

    High Voltage

  • ESD Diode：

    No

  • Schottky Diode：

    NO

  • Schottky Type：

    NO

  • Package：

    TO-220F-3L

  • VGS：

    30

  • ID @25℃：

    5

  • PD @25℃：

    30.5

  • RDS[ON]@VGS=10v：

    0.9

  • VGS[th]：

    2~4

  • Ciss：

    333

  • Crss：

    1.8

  • Qg：

    13.3

  • Qgd：

    7.0

  • Td[on]：

    8.3

  • Td[off]：

    35.0

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SVS5N70FD2
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