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SVS5N65DD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	超结MOS功率管 SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。\n\n 此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。\n\n • 5A,650V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V \n• 低栅极电荷\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;	Silan 士兰微	Silan
SVSP14N60FJDE2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	SILAN/士兰微上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	SILAN/士兰微

技术参数

Polarity：
N
Vdss (V)：
650
Id (A)Tc=25℃：
5
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (Ω)：
780
Rds (on) @10Vmax (Ω)：
960
Qg@10Vtyp (nC)：
12

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SVS5N65DD2	SILAN/士	24+	QFN64	39500	进口原装现货支持实单价优	询价
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更多SVS5N65DD2供应商更新时间2025-12-26 15:04:00

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