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SVS5N60FJD2

D-Well系列超级结高压MOSFET

SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。\n\n 此外,SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 • 5A,600V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;

Silan

士兰微

SVSP14N60FJDE2

TO-220F

SILAN/士兰微

技术参数

  • Status:

    MP

  • Type:

    N

  • Process:

    D-Well

  • Configuration:

    Single

  • Popular Application:

    High Voltage

  • ESD Diode:

    No

  • Schottky Diode:

    NO

  • Schottky Type:

    NO

  • Package:

    TO-220FJ-3L

  • VGS:

    30

  • ID @25℃:

    5

  • PD @25℃:

    29

  • RDS[ON]@VGS=10v:

    0.88

  • VGS[th]:

    2~4

  • Ciss:

    315

  • Crss:

    3.0

  • Qg:

    17.0

  • Qgd:

    9.7

  • Td[on]:

    8.8

  • Td[off]:

    52.0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILAN/士兰微
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TO-220F
196000
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更多SVS5N60FJD2供应商 更新时间2025-10-31 13:28:00